7nm芯片的7nm指的是处理器的蚀刻尺寸是7nm。nm是单位纳米的简称，7nm通常也会叫做栅长，即可以在CPU上形成互补氧化物金属半导体场效应的晶体管栅极的宽度。一般来说，栅极的尺寸越小，越难制作。芯
1、搭棚式接法一般将功放机内的各种元器件分为3—4层，安装元件的步骤是由下而上。接地线与灯丝走线一般置于靠近底板的最下层，其地线贴紧底板，并保持最好的接触；第二层多为各电子管阴极与栅极接地的元器件。注
高压包正名是行输出变压器，也称为行包或行变，显示器的高压包和电视机的工作原理基本一致，其主要作用是产生阳极高压，另外提供聚焦、加速、栅极等各路电压。由于高压包工作于高温、高频率、高电压、大电流的状态，
1、电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。2、利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号，并在阳
NANDflash和NORflash的区别在于NOR的读速度比NAND稍快一些。NAND的写入速度比NOR快很多。NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。NA
电子管麦克风寿命比较短，由于电子管的体积大、功耗大、发热厉害、寿命短、电源利用效率低、结构脆弱而且需要高压电源的缺点，它的绝大部分用途已经被固体器件晶体管所取代。但电子管负载能力强、线性性能优于晶体管
第3代电子计算机使用的电子元件是电子管。电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。利用电场对真空中的
6h8c电子管代换6SN7、6N8P电子管好。电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（通常为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。利用电场对真
1、DRAM存储器的中文是动态随机存取存储器。含义:为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。2、写操作时，写选择线
dram储存器的中文含义为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 动态RAM的工作原理动态RAM也是由许多基本
